抗硫化

DDR4 抗硫化 ECC SODIMM

  • 支持ECC纠错与修正
  • On-DIMM 温度传感器 : 有
  • 封装: 260针脚插槽双列直插式记忆模块 (DIMM)
  • PCB: 高 30.00 mm, 引脚间距 0.50 mm (pin),
  • 电源: VDD=1.2V (1.14V to 1.26V)
  • 16 个内部储存库 (4 个储存组)
  • 平均更新周期
    • 7.8us于 0°C≦ TC ≦85°C
    • 3.9us于 85°C ≦TC ≦95°C
  • 无铅(符合RoHS)
  • 无卤
  • PCB: 30μ金手指
  • 抗硫化
  • 敷形涂料/底部填充(可选)

简介

抗硫化内存模块主要应用于暴露在高污染环境中的设备,如车载、军事、医疗、运输、网通与户外电子产品等领域,以及使用于高浓度硫磺气体区域,如火山、温泉、与采矿区电子设备。
由于硫气体容易与电阻的端电极银材料化合产生硫化银、硫化银不导电,随着电阻被硫化,电阻的阻值逐渐增加,直至最后变成开路。为解决电阻硫化问题,宇瞻开发全球第一款适用于含硫环境的抗硫化内存模块,此创新研发设计亦已取得专利。


 

规格

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